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描述
fgl60n100bntd
IGBT 晶体管 HIGH_POWER
否
Fairchild Semiconductor
集电极—发射极最大电压
650 V
2.3 V
20 V 在25
150 A
400 nA
187 W
TO-247
Tube
FGL60N100BNTD
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FAIRCHILD
7
682 kb
NPT-Trench IGBT